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根据稀释理论,晶间腐蚀是由于组件的稀释晶界由于容易沉淀的第二阶段的晶界(1)奥氏体不锈钢,铬缺乏是由于晶界Cr23C6阶段的降水,(2)对于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界处析出，钼在晶界处含量较低;(3)对于铜铝合金，CuAl2在晶界处析出，导致晶界处铜含量较低。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
P. Si、B等杂质元素沿晶界偏析引起的非敏化晶间腐蚀只是晶界与晶体间形成化学浓度差而引起的简单电化学腐蚀过程，或者是偏析导致的晶界耐蚀性下降，或者还有其他因素，需要进一步探讨。
理论上，研制P < = 0.01%，Si<= 0.10%，B<= 0.008%的高纯度Cr - Ni奥氏体不锈钢是解决非敏化晶间腐蚀的最根本措施。
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