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根据稀释理论,晶间腐蚀是由于组件的稀释晶界由于容易沉淀的第二阶段的晶界(1)奥氏体不锈钢,铬缺乏是由于晶界Cr23C6阶段的降水,(2)对于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界处析出，钼在晶界处含量较低;(3)对于铜铝合金，CuAl2在晶界处析出，导致晶界处铜含量较低。
在含Cr6 +的硝酸介质中，选择cr14ni14和1cr18ni11ti高纯Cr Ni不锈钢，研究了C、P、Si和B对非敏化晶间腐蚀的影响;0.1%， P & gt= 0.01%，有显著危害;当Si含量接近Cr - Ni不锈钢的正常含量(~ 0.8%)时，非敏化晶间腐蚀敏感性最大，且Si含量高于或低于该含量时晶间腐蚀敏感性降低;B量& gt= 0.0008%，对非敏化晶间腐蚀有害。对低Si、低P高纯Cr - Ni奥氏体钢的进一步研究表明，这些不锈钢在非敏化状态下不存在晶间腐蚀倾向。透射电镜和俄耳杰光谱仪的晶界分析结果证实，晶界上P、Si和B等元素的偏析和优先溶解是造成非敏化晶界腐蚀的主要原因。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
晶间腐蚀条件:1。金属或合金中含有杂质，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之间的化学成分不同，在合适的介质中形成腐蚀电池。晶界为阳极，晶界为阴极，晶界产生选择性溶解。3.有一种特定的腐蚀性介质。
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