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铬、镍、钼、硅:Cr、Mo含量的增加会降低C的活性，降低晶体腐蚀的倾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素会提高C的活性，降低C在奥氏体中的溶解度，促进碳化物的析出。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
根据稀释理论,晶间腐蚀是由于组件的稀释晶界由于容易沉淀的第二阶段的晶界(1)奥氏体不锈钢,铬缺乏是由于晶界Cr23C6阶段的降水,(2)对于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界处析出，钼在晶界处含量较低;(3)对于铜铝合金，CuAl2在晶界处析出，导致晶界处铜含量较低。
缝隙腐蚀:许多金属部件是通过螺丝、铆接、焊接等方式连接的，这些连接件或焊接接头的缺陷处可能会有狭窄的缝隙。缝隙的宽度(一般为0.025 ~ 0.1mm)足以让电解液进入，使缝隙内的金属与缝隙外的金属形成短路原电池，缝隙内发生较强的局部腐蚀。
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