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铬、镍、钼、硅:Cr、Mo含量的增加会降低C的活性，降低晶体腐蚀的倾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素会提高C的活性，降低C在奥氏体中的溶解度，促进碳化物的析出。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
在某些合金介质体系中，常发生严重的晶间腐蚀。例如，奥氏体不锈钢在弱氧化介质(如曝气海水)或强氧化介质(如浓硝酸)等特定腐蚀介质中可能产生严重的晶间腐蚀。
将1Cr18Ni9奥氏体不锈钢加热到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度为0.10 ~ 0.15%，然后淬火。经固溶处理的1Cr18Ni9钢是一种碳过饱和体，不会产生晶间腐蚀。在700 ~ 800℃的温度范围内，碳的固溶体不超过0.02%，过饱和碳将从奥氏体中完全或部分析出。这时,碳会扩散到晶界和结合铁和铬在晶界形成硬质合金Cr23C6铬含量高、消耗铬在晶界面积,和铬粒内扩散速度慢得多比在晶界,在晶界区消耗的铬没有时间补充，因此在晶界区形成铬贫区。对于不锈钢来说，由于晶界钝化状态的破坏，晶界上析出的碳化铬周围的贫铬区成为阳极区，而碳化铬和晶粒处于钝化状态成为阴极区。在腐蚀介质中，晶界和晶粒形成活化的钝化微胞。电池阴极大，阳极面积比小，加速了晶界区域的腐蚀。
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