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晶间腐蚀条件:1。金属或合金中含有杂质，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之间的化学成分不同，在合适的介质中形成腐蚀电池。晶界为阳极，晶界为阴极，晶界产生选择性溶解。3.有一种特定的腐蚀性介质。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
碳对晶间腐蚀有显著影响。随着含碳量的增加，晶间腐蚀的趋势越来越严重。它不仅扩大了晶间腐蚀趋势的加热温度和时间范围，而且加剧了晶间腐蚀程度，提高了固溶温度。
缝隙腐蚀:许多金属部件是通过螺丝、铆接、焊接等方式连接的，这些连接件或焊接接头的缺陷处可能会有狭窄的缝隙。缝隙的宽度(一般为0.025 ~ 0.1mm)足以让电解液进入，使缝隙内的金属与缝隙外的金属形成短路原电池，缝隙内发生较强的局部腐蚀。
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